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55454 Messages dans 4011 Fils de discussion- par 1295 Membres - Dernier membre: envivyunohomi
 
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Auteur Fil de discussion: [Technologie] Lithographie par ultra-violet    (Lu 369 fois)
takatoukacer
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Sam, le Papa Ours


« le: 23 Avril 2009 19:22:26 »

Lithographie par ultra-violet extrême menacée ?

Intel devrait encore repousser l’utilisation de la lithographie par ultra-violet extrême en raison de défaut sur les masques, ce qui ruinerait les yields.

Une technologie en retard

Attendue pour les puces gravées en 20 nm, on s’attend à ce qu’Intel utilise massivement cette technologie pour le 15 nm qui est prévue aux environs de 2013. À titre de rappel, l’utilisation de ce procédé de fabrication était prévue pour le 65 nm au départ, mais de nombreuses difficultés ont forcé son retard.

Une technologie en danger ?

Si Intel reconnaît aujourd’hui qu’il y a eu de gros progrès dans ce domaine, le fait qu’il est difficile d’obtenir des masques sans défaut est un obstacle énorme pour une production en masse. Or, il semblerait que les investissements portant sur la création et le contrôle de ces masques soient en retard et insuffisants. Aujourd’hui, si certains sont alarmistes, la grande question consiste à savoir si la technologie sera prête lorsque la lithographie par immersion montrera ses limites et combien elle coûtera à ce moment-là.

Est-ce que cela veut dire que la loi empirique de Moore qui table sur le doublement des transistors sur un circuit donné tous les deux ans est en danger ? Nous ne le pensons pas alors que d’autres techniques de lithographie sont à l’étude et qu’il y a énormément d’argent en jeu, ce qui motivera les géants du semiconducteur à trouver un moyen pour produire des puces plus performantes et moins chère à fabriquées.

Lithographie par ultra-violet extrême

Le principe est le même qu’auparavant : focalisez un rayon, mais cette fois-ci, il s’agit d’un ultraviolet extrême. Sa longueur d’onde se situe entre 10 et 15 nm et au lieu d’utiliser des optiques, on va faire appel à des miroirs rétrécissant le rayon. La lithographie par ultraviolet extrême serait, selon plusieurs, la solution pour dépasser le process butoir de 22 nm.



Les deux compagnies ont annoncé un effort commun de développement de puces tests en 22 nm utilisant ce type de lithographie.
AMD et IBM aussi

Cela montre donc que les deux sociétés continuent d’investir dans cette technologie (cf. « AMD et IBM : vers l'EUV »), malgré les retards dont nous vous parlions hier (cf. « Lithographie par ultra-violet extrême menacée ? »).

Les deux sociétés ne devraient pas réellement utiliser cette à grande échelle technologies avant leurs puces en 15 nm qui sont prévues pour 2013, voire 2014. Elles se calquent donc sur les plans d’Intel qui a annoncé quelque chose de similaire.
Les obstacles futurs

Néanmoins, les fondeurs doivent faire face à de nombreuses difficultés. En effet, selon un responsable chez Nikon, pour être mise en production ce type de lithographie nécessite : une source d’énergie suffisamment puissante, des masques sans défaut, des outils moins chers, des miroirs moins complexes et la possibilité de fabriquer 100 wafers par heure alors que l’on tourne aujourd’hui à 20 wafers par heure. De plus, certaines machines qui devaient être livrées aux fondeurs ont pris du retard. Cela pousse les plus pessimistes à dire que cette technologie ne sera pas prête pour la production de masse avant 2016.

source : présence pc
Journalisée

*Xigmatek Elysium, Enermax Pro82+ 625w, GA-X48-DS5, E8600@4.3GHz, 2*2Go DDR2-8500 GSkill PI BLACK, GA-GTX285, ViewSonic VX1962wm, WD Caviar Blue 640Go, Scythe Kama Meter, Logitech MX5500, MX Revolution, X530 5.1, Créative Fatal1ty Gamer, WB nexXos Bold, EK GTX285, Eheim 1048, Rad. 2XT
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